自2020年9月发布i20 IGBT芯片、、、ED-Type IGBT模块等产品以来,,,,在过去的一年里,,,,祥一亚太半导体科技(浙江)有限公司(以下简称“祥一半导体”)本着精益求精的科技工匠精神,,,,进行了全面的产品测试和优化,,,以及生产线建设和试产。。。
今天,,祥一半导体非常高兴的宣布:1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片,,1200V/750A及600A ED-Type IGBT模块等产品成功完成试产,,已具备了批量供货能力,,,,并正式开始接受客户订货。。。
打破“缺芯”困局,,,共建国产IGBT良性发展生态圈
IGBT,,作为功率半导体的代表,,,,被称为大国重器,,对电动汽车、、、新能源电力等国家重点新兴产业发展和达成“双碳”目标,,,具有重要的战略意义。。。然而,,中国虽然是全球最大的IGBT消费国,,市场却长期为国外企业所主导。。。。特别是芯片领域,,,国内自给率极低。。。在中美贸易多变的背景下,,加快国产化进程,,,,促进中国成为IGBT产业强国,,,,是每一个业内中国企业的责任和使命。。
祥一半导体,,,,希望通过出色的国产芯片产品和对外销售芯片的举措,,打破国内严重依赖进口芯片的“缺芯”困局,,与广大业内企业共建国产IGBT良性发展生态圈,,,,助力中国IGBT产业腾飞。。。
i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片,,,,电压/电流为1200V/250A,,,各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品。。。
i20 IGBT芯片,,,采用FS-Trench结构,,,,即正面精细沟槽+背面场截止,,,并通过N型增强、、、窄台面、、短沟道、、、超薄基底、、优化P+、、、3D结构等多项优化设计,,,从而带来了高达250A的卓越表现。。。。
d20 FRD芯片,,,与i20 IGBT芯片一同研发,,从而确保了FRD与IGBT的完美配合,,,以及芯片组的出色整体性能。。此外,,我们通过先进的发射极效率管理、、、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、、、、优化的N-基底厚度与发射极和载流子寿命,,,,以及特别设计的链接终端,,,,实现了较低的FRD损耗,,也降低了IGBT的通导损耗。。。。
在国外企业技术领先并主导市场的IGBT芯片领域,,,,祥一半导体是少数全部采用自有芯片进行模块封装的国内企业,,更是目前极少数公开对外销售自主技术IGBT芯片的国内企业。。。。敢于直面市场的检验,,,,这充分体现了祥一半导体对产品卓越品质的高度自信。。。
ED-Type IGBT模块

ED-Type模块,,,采用标准的“EconoDual”封装设计,,,使用祥一半导体i20和d20芯片组,,推出了1200V/750A和1200V600A两个型号产品。。。。
ED-Type模块采用了“直线型”优化设计,,,,大幅提升了均流表现,,,,并在降低损耗的同时,,,,提高了可靠性表现。。。
源于卓越的i20和d20芯片组、、、出色的优化设计和工艺水平、、、、严格的原材料选用和供应链管理、、首屈一指的智能自动化制造生产线,,,ED-Type模块与国外领域企业的同类产品对比中,,表现出了更加优异的综合性能。。。。

一往无前,,,祥一半导体将再接再厉,,,,加快开展1700V以及750V的精密沟槽和微沟槽IGBT芯片、、、、碳化硅芯片,,,,以及ED-Type、、ST-Type和EV-Type等IGBT模块的产品研发和生产线建设,,为广大客户奉献更多、、、更好的国产IGBT精品,,助力中国“强芯梦”的早日实现。。
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